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聚酰亞胺(Polyimide,PI)因其優(yōu)良的熱穩(wěn)定性、機(jī)械性能及低介電常數(shù)等特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于微電子及航空航天等領(lǐng)域。但傳統(tǒng)PI也存在一些缺陷限制其應(yīng)用,如導(dǎo)熱性能較差,作為電子封裝材料使用時(shí)不能及時(shí)散熱,影響器件使用壽命。因此,在保證PI本身優(yōu)異綜合性能的情況下,改善PI的導(dǎo)熱性能在學(xué)術(shù)和工程研宄領(lǐng)域引起了廣泛的興趣。在此背景下,以氮化硼作為基材的高導(dǎo)熱材料被開發(fā)出來。
導(dǎo)熱高分子材料按制備工藝可以大致分為本征型導(dǎo)熱高分子和填充型導(dǎo)熱高分子。填充型導(dǎo)熱高分子加工工藝簡單,操作容易,成本低廉,因此填充型導(dǎo)熱高分子材料仍然是目前研宄和工業(yè)應(yīng)用的主流。六方氮化硼因具有高電擊穿強(qiáng)度、高導(dǎo)熱性、低吸濕性、介電常數(shù)和損耗低、優(yōu)異的抗氧化性和抗腐蝕性等特點(diǎn),是制備高導(dǎo)熱、低介電常數(shù)、低介電損耗的理想填料。