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六方氮化硼薄膜制備方法流程

文章出處：天元航材責任編輯：天元化工新材廠家發(fā)布時間：2023-08-22 09:23:58 點擊數(shù)：0 【大 中 小】

[導讀]：天元航材跟大家一起來了解下關(guān)于六方氮化硼薄膜制備方法流程是怎么樣的吧！

六方氮化硼薄膜制備方法流程

天元航材化工原料生產(chǎn)廠家的小編今天給大家介紹下關(guān)于六方氮化硼薄膜制備方法的相關(guān)介紹，我們天元是一家生產(chǎn)六方氮化硼的化工廠家，生產(chǎn)的六方氮化硼廣泛應用薄膜,脫模劑，復合陶瓷等行業(yè)，今天小編跟大家一起來了解下關(guān)于六方氮化硼薄膜制備方法流程是怎么樣的吧！

六方氮化硼（H-BN）是一種Ⅲ類化合物，其六方相具有類似于石墨烯的層狀結(jié)構(gòu)，被命名為白石墨，層中的b和N原子以共價鍵結(jié)合在一起，其結(jié)構(gòu)為穩(wěn)定。層間有范德華力，層間可以通過脫硼的方式打開，在空氣中非常穩(wěn)定，可以承受2000℃的高溫，只有在連續(xù)強加熱條件下才能燃燒，可以用于高溫耐火材料、耐火涂料。

以下是制備六方氮化硼薄膜的步驟：
(1)硼源置于襯底中；
(2)在惰性氣體氣氛中加熱硼源使硼源熔化；
(3)然后，通過氣相氮源進行反應；
(4)反應結(jié)束后，除去未反應的硼源，得到六方氮化硼薄膜。

硼源有氧化硼、硼酸、偏硼酸鋰、偏硼酸鈉、偏硼酸鉀、四硼酸鋰及其水合物、四硼酸鈉及其水合物、四硼酸鉀及其水合物、四硼酸鋁及其水合物。

此外，還可以通過CVD法制備六方氮化硼薄膜
CVD法制備的六方氮化硼薄膜通常使用BCL3或B2H6作為硼源，BCL3作為硼源可以獲得較高的沉積速率，但在較高的沉積溫度（1200～2000℃）下，可以在較低的溫度下獲得非晶氮化硼B(yǎng)2H6作為硼源的沉積速率比B2H6低，但沉積溫度可明顯降低，最低可降低至600℃，Bcl3和NH3在827℃沉積非晶態(tài)氮化硼薄膜,在900°C下制備六方氮化硼薄膜。

H-BN薄膜的表面探究得出由于在吸附空氣中碳氫化合物的作用下,氮化硼的水接觸角隨著暴露在空氣中的時間而增加，水接觸角大于93.60，表明表面H-BN薄膜能量低，可作為碳氫化合物材料。

天元航材化工原料生產(chǎn)廠家的小編今天就給您介紹到這里了，有疑問的可以電話咨詢！

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